Дискретные MOSFET(N-channel)
Ангстрем

Дискретные MOSFET(N-channel)

Вы здесь

Готовность производства
Тип технологии
Корпус
Vds(max)
Id(max)
RDS(on)
Название Vds(max), Всортировать по убыванию Id(max), А RDS(on), Ом Исполнение
AnR24N40 400 24 0.23 Planar
AnP11N40 400 11 0.35 Low charge
AnB11N40 400 11 0.35 Low charge
AnD5N50Z 500 4,5 1,5 Zener diode
AnU3N50Z 500 3 2,7 Zener diode
AnD3N50Z 500 3 2,7 Zener diode
AnR22N50 500 22 0.28 Planar
AnP8N50 500 8 1 Low charge
AnB8N50 500 8 1 Low charge
AnR16N50 500 16 0.4 Low charge
AnU5N50Z 500 4,5 1,5 Zener diode
AnU2N60 600 2 4,4 Low charge
AnD2N60 600 2 4,4 Low charge
AnR16N60 600 15,5 0.4 Planar
AnP7N60 600 7 0.75 Low charge
AnB7N60 600 7 0.75 Low charge
AnU4N60 600 4 1,8 Low charge
AnD4N60 600 4 1,8 Low charge
AnR14N60 600 14 0.55 Low charge
AnU1N60 600 1 9,5 Low charge
AnD1N60 600 1 9,5 Low charge
AnR9N65 650 8,5 0.93 Planar
AnU2N65 650 2 5,5 Low charge
AnD2N65 650 2 5,5 Low charge
AnP6N65 650 6 1,5 Low charge

Страницы