Дискретные MOSFET(N-channel)
Ангстрем

Дискретные MOSFET(N-channel)

Вы здесь

Готовность производства
Тип технологии
Корпус
Vds(max)
Id(max)
RDS(on)
Название Vds(max), Всортировать по убыванию Id(max), А RDS(on), Ом Исполнение
AnD8N65 650 8 0.62
AnB6N65 650 6 1,5 Low charge
AnU4N65 650 4 2,7 Low charge
AnD4N65 650 4 2,7 Low charge
AnU1N65 650 1 11 Low charge
AnD1N65 650 1 11 Low charge
AnP5N70 700 5 2 Low charge
AnB5N70 700 5 2 Low charge
AnU4N70 700 4 3,2 Low charge
AnD4N70 700 4 3,2 Low charge
AnU1N70 700 1 13 Low charge
AnD1N70 700 1 13 Low charge
AnR10N70 700 10 1 Low charge
AnU2N70 700 2 7 Low charge
AnD2N70 700 2 7 Low charge
AnB4N80 800 3 3,5 Low charge
AnP10N80 800 10 0.9
AnP8N80 800 8 1,55
AnP6N80 800 5,5 2,7
AnR11N80 800 11 0.75 Planar
AnR7N80 800 7 1,8 Low charge
AnP4N80 800 3 3,5 Low charge
AnP4N90 900 4 2,3 Low charge
AnB4N90 900 4 2,3 Low charge
AnU2N90 900 2 5 Low charge

Страницы