Дискретные MOSFET(N-channel)
Ангстрем

Дискретные MOSFET(N-channel)

Вы здесь

Готовность производства
Тип технологии
Корпус
Vds(max)
Id(max)
RDS(on)
Название Vds(max), Всортировать по убыванию Id(max), А RDS(on), Ом Исполнение
AnD2N90 900 2 5 Low charge
AnR7N120 1200 7 1,7 Planar
AnP3N120 1200 3 4,7 Low charge
AnB3N120 1200 3 4,7 Low charge
AnU2N120 1200 2 11 Low charge
AnD2N120 1200 2 11 Low charge
AnD1N150 1500 1 16 Low charge
AnP2N150 1500 2 7 Low charge
AnB2N150 1500 2 7 Low charge
AnU1N150 1500 1 16 Low charge

Страницы