Дискретные MOSFET(N-channel)
Ангстрем

Дискретные MOSFET(N-channel)

Вы здесь

Готовность производства
Тип технологии
Корпус
Vds(max)
Id(max)
RDS(on)
Название Vds(max), Всортировать по возрастанию Id(max), А RDS(on), Ом Исполнение
AnD1N150 1500 1 16 Low charge
AnP2N150 1500 2 7 Low charge
AnB2N150 1500 2 7 Low charge
AnU1N150 1500 1 16 Low charge
AnR7N120 1200 7 1,7 Planar
AnP3N120 1200 3 4,7 Low charge
AnB3N120 1200 3 4,7 Low charge
AnU2N120 1200 2 11 Low charge
AnD2N120 1200 2 11 Low charge
AnP4N90 900 4 2,3 Low charge
AnB4N90 900 4 2,3 Low charge
AnU2N90 900 2 5 Low charge
AnD2N90 900 2 5 Low charge
AnB4N80 800 3 3,5 Low charge
AnP10N80 800 10 0.9
AnP8N80 800 8 1,55
AnP6N80 800 5,5 2,7
AnR11N80 800 11 0.75 Planar
AnR7N80 800 7 1,8 Low charge
AnP4N80 800 3 3,5 Low charge
AnP5N70 700 5 2 Low charge
AnB5N70 700 5 2 Low charge
AnU4N70 700 4 3,2 Low charge
AnD4N70 700 4 3,2 Low charge
AnU1N70 700 1 13 Low charge

Страницы